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简单分析AOSMOS管失效的原因


1.雪崩失效(电压失效),也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压,并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。
 
2.SOA失效(电流失效),既超出MOSFET安全工作区引起失效,分为Id超出器件规格失效以及Id过大,损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。
 
3.体二极管失效:在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中,由于体二极管遭受破坏而导致的失效。
 
4.谐振失效:在并联使用的过程中,栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。
 
5.静电失效:在秋冬季节,由于人体及设备静电而导致的器件失效。
 
6.栅极电压失效:由于栅极遭受异常电压尖峰,而导致栅极栅氧层失效。


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