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FET 类型 N 沟道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss） 40V 电流 - 连续漏极（Id）（25C 时） 13A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.

FET 类型 N 沟道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss） 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25C 时） 20A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.

FET 类型 N 沟道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss） 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25C 时） 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同

FET 类型 P 沟道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss） 20V 电流 - 连续漏极（Id）（25C 时） 5.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V 不同

FET 类型 P 沟道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss） 20V 电流 - 连续漏极（Id）（25C 时） 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V 不同

FET 类型 N 沟道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss） 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25C 时） 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V 不同

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