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p沟道mos管原理图

P沟道MOS管开关电路 上图是两种P沟道MOS管开关电路应用:其中第一种NMOS管为高电平导通,低电平截断,Drain端接后面电路的接地端;第二种为P沟道MOS管开关

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AOS场效应管工作原理

mos管的工作原理(以N沟道增强型mos场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少

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AOSMOS管击穿是什么原因

AOSMOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U

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AOSMOS管与IGBT详细的区别分析以及举例说明

MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同。 1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。 2. IGBT可以做

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AOS场效应管与BJT放大电路的比较

性能比较 AOS 场效应管放大电路的共源电路、共漏电路、共栅电路分别与三极管放大电路的共射电路、共集电路、共基电路相对应。 共源电路与共射电路均

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用两个AOSMOS管实现低功耗双稳态电路

双稳态电路是我们经常用于作为单键控制负载开关电路。在这里我介绍一个由两个MOS管构成的低功耗双稳态电路。 如图 点击看大图 假设Q1的G极输入是高电

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