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AOSMOS管常见的5类损坏原因解析

第一种:雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同) ,并超出一定的能量后就发生破坏

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AOSMOS管驱动电路设计

AOS场效应管MOSFET驱动电路有以下几点要求: 开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快

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如何选择合适的MOS管

一、用N沟道orP沟道 选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MO

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AOS场效应管的使用注意事项

注意事项: 1、 AOS MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将弓出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意

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AOS场效应管的保存期限

AOS场效应管是常用的一种mos管,因此对于了解它的保质期和保存条件是非常重要的,因为使用过期或者保存条件不当的AOS场效应管,那么产品品质是很难保

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如何分辨AOSmos管是否原装

AOSmos管真伪的如何去辨别呢,美国品牌AOS的mos管,在电子元器件行业已经是家喻户晓的地位。如今市场不论什么产品都会有假冒伪劣的,AOS作为国际知名的

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