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AOS标准电压下的耗尽型AOS场效应管。从左到右依次依次为：结型AOS场效应管，多晶硅金属氧化物半导体AOS场效应管，双栅极金属氧化物半导体AOS场效应管，

AOSMOS管是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它的外型也是一个三极管，因此又称 AOSMOS管。它只有一种载流子参与导电

（1）为了安全使用 AOS场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。（2）各类型 AOS 场效

场效应管主要参数直流参数饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。夹

AOSMOS管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为 AOS MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道

1. 三个极的判定这里写图片描述 G极(gate)栅极，不用说比较好认 S极(source)源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)漏极，不论是P沟道还是

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