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AOS场效应管偏置电路 AOS 场效应管偏置电路为了使放大电路正常地工作能把输入信号不失真地加以放大，必须有一个合适而稳定的静态工作点为放大电路提

AOS标准电压下的耗尽型AOS场效应管。从左到右依次依次为：结型AOS场效应管，多晶硅金属氧化物半导体AOS场效应管，双栅极金属氧化物半导体AOS场效应管，

AOSMOS管是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它的外型也是一个三极管，因此又称 AOSMOS管。它只有一种载流子参与导电

（1）为了安全使用 AOS场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。（2）各类型 AOS 场效

场效应管主要参数直流参数饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。夹

AOSMOS管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为 AOS MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道

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