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AOS一系列功率半导体和功率集成电路的开发商和全球供应商今天宣布AOTF190A60L，在新的字母表mos5tm高压mosfet平台的第一个产品。这个装置提供高效率为服务

介绍许多操作参数和功率MOSFET结温的影响设备寿命。估计设备接点温度在一个电路,或比较场效应管目标应用程序,提供了一些基本的热阻数据数据表。在本

介绍 AOSmos管在高频开关变换器中，设计人员面临着处理开关噪声的共同挑战。特别是当高侧Mosfet打开时，之前处于导电状态的低侧FET的体二极管关闭。在关

在稳态条件下，并联mosfet工作良好，共享电流，在每个相同的电压。MOSFET的on电阻(Roslon)具有正的温度系数，即Rps(on)随着温度的升高而增大。这种已知的现

AOS宣布最新的XSPairFET降压-升压用于C型应用的MOSFET。该AONP36336是两个30V N沟道MOSFET，采用双DFN 3.3x3.3 XSPairFET封装，非常适合降压/升压Type-C应用中使用的转换

第一种:雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同) ,并超出一定的能量后就发生破坏

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