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AOSMOS管与IGBT详细的区别分析以及举例说明

MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同。 1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。 2. IGBT可以做

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AOS场效应管与BJT放大电路的比较

性能比较 AOS 场效应管放大电路的共源电路、共漏电路、共栅电路分别与三极管放大电路的共射电路、共集电路、共基电路相对应。 共源电路与共射电路均

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用两个AOSMOS管实现低功耗双稳态电路

双稳态电路是我们经常用于作为单键控制负载开关电路。在这里我介绍一个由两个MOS管构成的低功耗双稳态电路。 如图 点击看大图 假设Q1的G极输入是高电

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AOS场效应管功放电路的组成

一款采用AOS场效应管做前级放大制作的功率放大器,音响效果很理想。 由于该功放的后级电路是一个直流耦合的电路,各级工作点的选择,尤其第一级AO

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AOS场效应管在主板中的作用

作用 控制电流,简单点说就是转电源,比如把12V转为1.2V。不排除控制线路上有小型的AOS场效应管,测量方法主要是通电时检查D极和S极压降,很小可判断正

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AOSMOS管在电路中如何控制电流大小

AOSMOS管是电压控制器件,也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。 在一般市面上最常见的是AOS增强型N沟通MOS管,你可以用一个电压来控制

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